طور باحثون من جامعة بوردو تقنية جديدة لدمج مكونات إلكترونية ثلاثية الأبعاد مباشرة فوق رقائق السيليكون، في خطوة قد تساعد على بناء أجهزة حوسبة أكثر كثافة وكفاءة. استخدم الفريق مادة شبه موصلة من أكسيد الإنديوم، ورُسّبت في صورة طبقات شديدة الرقة باستخدام تقنية تُعرف باسم «الترسيب بالطبقات الذرية»، التي تسمح بالتحكم الدقيق في سماكة المادة. وتمكن الباحثون من تصنيع أكثر من 100 ألف جهاز إلكتروني على رقائق سيليكون قطرها 200 مليمتر، ضمن ثلاث طبقات متراكبة، مع دمج دوائر للمنطق والذاكرة تعمل عبر الطبقات.والأهم أن الباحثين صمموا نموذجًا لمعالج ثلاثي الأبعاد ينفذ عمليات الحوسبة داخل الذاكرة، وهو نهج يستهدف تسريع تطبيقات الذكاء الاصطناعي وتقليل حركة البيانات بين الذاكرة ووحدات المعالجة. ووفق المحاكاة، حقق التصميم تسارعًا يتراوح بين 1.4 و2.9 مرة مقارنة بتصاميم ثنائية الأبعاد مماثلة.تشير النتائج إلى إمكانية استخدام هذه التقنية لبناء شرائح مستقبلية تجمع عددًا أكبر من الوظائف في مساحة أصغر، مع الحفاظ على توافقها مع عمليات تصنيع أشباه الموصلات التقليدية. #الأكاديمية_بوست #أخبار #الذكاء_الاصطناعي#مجلة ايليت فوتو ارت.